Силовая электроника – 3 семестр МОИ (МТИ)

250

Внимание! Указывайте верный электронный адрес, там вы сможете скачать бланк с ответами на тест Синергия “Силовая электроника – 3 семестр”

Тут вы можете купить ответы на тесты Синергия. Ответы и вопросы в купленном тесте полностью совпадают с теми, что представлены на сайте. Верные ответы будут выделены. Тест был сдан в 2025 году. После покупки вы сможете скачать файл с тестами или найти файл в письме на почте, которую указали при оформлении заказа. Для решения теста Синергия “Силовая электроника – 3 семестр” в своем личном кабинете обращайтесь к менеджерам сайта. Так же мы выполняем практики, курсовые работы и дипломные работы!

Раздел: Ответы на тесты в МТИ (МОИ), Ответы на тесты Синергия

Вопрос
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
Транзисторы Дарлингтона используют для
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
В режиме лавинного пробоя силового диода
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Динамическими параметрами силового диода являются

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Силовая электроника – 3 семестр МОИ (МТИ)”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Оплата производится на банковскую карту. Необходимо уточнить у менеджера, на какую карту банка вам удобно совершать оплату.

После оплаты, свяжитесь пожалуйста с менеджером и пришлите ему чек (фото или скриншот). Тем самым вы подтверждаете, что оплату совершили именно вы.

Курсовую вы можете заказать любым удобным для Вас способом, достаточно обратиться к менеджеру, он поможет осуществить заказ.

Работу можно скачать из личного кабинета, или её продублируют Вам на почту.

Пожалуйста, указывайте Ваш настоящий Email. В случае утери документа, вы сможете его скачать на почте!

Все вопросы в файле совпадают с теми, что представлены у нас на сайте.

Работаем по всей России и СНГ:

Похожие товары

Просмотренные товары