Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
• германий
• арсенид-галлий
• карбидокремний
• кремний
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= cvar, длительность импульса tИ = const
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
• идеальный диод
• катушку индуктивности
• электрическую батарею
• резистор с динамическим сопротивлением
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
• улучшаются частотные и динамические свойства прибора
• снижается мощность потерь
• ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
• возрастает мощность потерь
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
• уменьшается до нуля
• возрастает
• не изменяется вообще
• вначале уменьшается, а потом увеличивается
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
• высокочастотного трансформатора
• непосредственной гальванической связи
• оптронной развязки
• оптоволоконной системы передачи
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
• обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
• прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
• прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
• обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
• резко увеличивается
• резко уменьшается
• равна нулю
• увеличивается постепенно
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
• силовые ключи с встроенными системами защиты
• силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
• силовые ключи с внешними системами защиты и управления
• силовые интеллектуальные модули
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
• низкое быстродействие переключения
• низкий уровень коммуникационных потерь
• высокий уровень коммуникационных потерь
• высокое быстродействие переключения
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
• в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
• в два раза превышает выходную частоту инвертора
• в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
• в два раза меньшей выходной частоты инвертора
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
• с общей базой (ОБ)
• с общим истоком (ОИ)
• с общей подложкой (ОП)
• с общим стоком (ОС)
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
• повышает уровень индуктивной связи между проводниками
• гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
• уменьшают индуктивную связь между проводниками
• повышают уровень емкостной связи между цепями
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
• быстрое включение
• быстрое выключение
• медленное выключение
• низкая скорость нарастания запирающего тока
К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
• время спада тока коллектора
• максимально допустимый ток коллектора
• ток обратного смещенного коллекторного перехода
• время нарастания тока коллектора
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
• Д – блок датчиков
• БОИ – блок обработки информации
• ФИУ – формирователь импульсов управления
• КА – блок коммутационной аппаратуры
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
• p-n-переход
• униполярный транзистор
• биполярный транзистор
• n-p-переход
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
• источником тока эмиттера, управляемого током коллектора
• источником тока коллектора, управляемого током эмиттера
• источником тока коллектора, управляемого током базы
• источником тока эмиттера, управляемого током базы
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
• горизонтальный
• частотно-импульсный
• фазоимпульсный
• вертикальный
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
• наличие длительных многократных перегрузок по току
• индуктивный характер нагрузки
• наличие противонаправленной ЭДС вращения
• наличие кратковременных многократных перегрузок по току
Главным достижением развития современных силовых ключей является
• объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
• объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
• объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
• объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
• 6 В
• 600 В
• 60 В
• 6000 В
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
• подключение внешних дополнительных защитных устройств
• повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
• определение момента перегрузки и подключение системы защиты
• уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
Транзистор – это
• полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
• полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
• полупроводниковый частично управляемый прибор
• полупроводниковый неуправляемый прибор
В активном режиме работы биполярного транзистора
• выходной ток обратно пропорционален входному току
• выходной ток равен входному току
• выходной ток не зависит от входного тока
• выходной ток прямо пропорционален входному току
IGBT транзистор не находит применение в области
• высоких напряжений
• высоких частот
• высоких мощностей
• высоких токов коммутации
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
• период импульса TO = var, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO = const, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO = var, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO = const, длительность импульса tИ = var
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
• время включения тиристора
• время запаздывания обратного напряжения
• время нарастания
• время установления
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
• полевые транзисторы с изолированным затвором
• биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
• силовые биполярные транзисторы
• СИТ – транзисторы
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому туристору GTO
• последовательно включают демпфирующую RCD – цепь
• параллельно включают демпфирующую RLC – цепь
• параллельно включают демпфирующую RCD – цепь
• последовательно включают демпфирующую RLC – цепь
Отзывы
Отзывов пока нет.