Силовая электроника. 3 семестр. МОИ (МТИ) v.2

300

Внимание! Указывайте верный электронный адрес, там вы сможете скачать бланк с ответами на тест МОИ (МТИ) “Силовая электроника. 3 семестр”

Тут вы можете купить ответы на тесты МОИ (МТИ). Ответы и вопросы в купленном тесте полностью совпадают с теми, что представлены на сайте. Верные ответы будут выделены. Тест был сдан в 2025 году. После покупки вы сможете скачать файл с тестами или найти файл в письме на почте, которую указали при оформлении заказа. Для решения теста МОИ (МТИ) “Силовая электроника. 3 семестр” в своем личном кабинете обращайтесь к менеджерам сайта. Так же мы выполняем практики, курсовые работы и дипломные работы!

Раздел: Ответы на тесты в МТИ (МОИ)

СПИСОК ВОПРОСОВ

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Высокой температурной устойчивостью не обладает
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
В резонансных силовых преобразователях
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
Плоскостные диоды
Точечные диоды

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Силовая электроника. 3 семестр. МОИ (МТИ) v.2”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Оплата принимается посредствам онлайн кассы «Robokassa» — укажите реквизиты карты или воспользуйтесь оплатой по «СБП».
После оплаты система, направит Вас на страницу с товаром, где вы сможете его скачать на своё устройство.
Если по какой- то причине вы закрыли страницу или не скачали товар, то всегда сможете найти и скачать его на почте.
Указывайте настоящий Email — при утере документа вы сможете скачать его из письма.
При возникновении трудностей с оплатой или получением товара обращайтесь к нашим менеджерам. Все контакты указаны на сайте, можете выбрать любой удобный.

Похожие товары

Просмотренные товары